212-功率半導體工藝研發(fā)工程師
科研團隊
直流研究中心
崗位職責
1.從事大功率半導體芯片工藝設(shè)計、流片相關(guān)工作;
2.負責半導體光刻、注入、擴散、刻蝕、CVD、合金等工藝研發(fā)、缺陷檢測等問題,提升成品率;
3.推進工藝流片進度,配合進程管理;
4.編寫工藝規(guī)范,設(shè)備標準操作規(guī)范;
5.建立工藝穩(wěn)定性監(jiān)控機制,培訓操作人員;
6.分析工藝異常原因,解決工藝異常,確保研發(fā)制造任務(wù)正常進行。
任職要求
1.國內(nèi)外正規(guī)全日制大學碩士及以上學歷,電氣工程、微納電子、材料物理與化學等相關(guān)專業(yè);
2.熟悉功率半導體器件(如晶閘管、IGBT、IGCT、MOSFET等)工作原理;
3.熟悉半導體單項工藝;
4.具有團隊協(xié)作意識,工作認真,責任心強,具有較強的解決問題能力和交流溝通能力。
科研團隊
直流研究中心
崗位職責
1.從事大功率半導體芯片工藝設(shè)計、流片相關(guān)工作;
2.負責半導體光刻、注入、擴散、刻蝕、CVD、合金等工藝研發(fā)、缺陷檢測等問題,提升成品率;
3.推進工藝流片進度,配合進程管理;
4.編寫工藝規(guī)范,設(shè)備標準操作規(guī)范;
5.建立工藝穩(wěn)定性監(jiān)控機制,培訓操作人員;
6.分析工藝異常原因,解決工藝異常,確保研發(fā)制造任務(wù)正常進行。
任職要求
1.國內(nèi)外正規(guī)全日制大學碩士及以上學歷,電氣工程、微納電子、材料物理與化學等相關(guān)專業(yè);
2.熟悉功率半導體器件(如晶閘管、IGBT、IGCT、MOSFET等)工作原理;
3.熟悉半導體單項工藝;
4.具有團隊協(xié)作意識,工作認真,責任心強,具有較強的解決問題能力和交流溝通能力。
職位類別: 能源互聯(lián)網(wǎng)市場/政策研究員
舉報- 公司規(guī)模:100 - 499人
- 公司性質(zhì):事業(yè)單位
- 所屬行業(yè):智能電網(wǎng)
- 所在地區(qū):北京-海淀區(qū)
66%
簡歷查閱率
1天
簡歷查看周期
- 聯(lián)系人:田佳茹
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- 郵政編碼:
工作地址
- 地址:北京市海淀區(qū)清華大學